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新一代半導體材料研究院(晶體材料全國重點實驗室)是教育部首批支持的戰(zhàn)略科技創(chuàng)新平臺，依托山東大學開展建設(shè)。研究院充分發(fā)揮學校在半導體材料研究領(lǐng)域的已有優(yōu)勢，通過整合校內(nèi)微電子、物理、化學、材料、機械、控制、信息等優(yōu)勢學科力量，瞄準半導體材料技術(shù)未來發(fā)展方向，面向能源、信息、國防、軌道交通等領(lǐng)域的重大需求，重點開展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關(guān)鍵核心技術(shù)，支撐核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動我國新一代半導體、集成電路、信息技術(shù)的快速發(fā)展，滿足國防安全和經(jīng)濟建設(shè)的重大需求。

山東大學將研究院建設(shè)列為“雙一把手工程”，舉全校之力、集全校之智予以重點推進。作為學術(shù)特區(qū)，學校為研究院在校內(nèi)新建1.2萬平方米研發(fā)中心大樓，配備各類先進儀器設(shè)備，給予穩(wěn)定的經(jīng)費與政策支持。構(gòu)建起“一中心多基地”的發(fā)展格局，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，與華為等龍頭企業(yè)建立深度合作關(guān)系;組建起一支包括教育部“長江學者”特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、中組部“萬人計劃”入選者等在內(nèi)的高端研究團隊。研究院作為晶體材料全國重點實驗室的重要支撐，將以更加開放的姿態(tài)和國際化的視野，珍視機遇，不辱使命，力爭成為我國新一代半導體材料及器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)策源地。

一、申請資格

1.全國高校本科三年級所學專業(yè)為物理、化學、材料、光學、集成電路、微電子、控制及相關(guān)學科的在校生(2026屆畢業(yè)生)。

(1)擁護中國共產(chǎn)黨的領(lǐng)導，愿為祖國建設(shè)服務(wù)，品德良好，遵紀守法。

(2)學術(shù)研究興趣濃厚，有較強的創(chuàng)新意識、創(chuàng)新能力和專業(yè)能力。

(3)誠實守信，學風端正。

(4)身心健康，體檢合格。

2.英語通過國家四、六級水平考試或TOEFL、GRE成績優(yōu)秀。

二、申請材料

1.本科階段成績單(學校教務(wù)部門蓋章);

2.前五學期總評成績排名證明(學校教務(wù)部門蓋章);

3.身份證復印件(正反面);

4.英語四、六級考試成績等體現(xiàn)自身英語水平的證明材料;

5.其他證明材料：獲獎證書等其他證明材料、已發(fā)表的學術(shù)論文、專利等。

注意：以上材料需掃描成pdf文件后在系統(tǒng)上傳，請申請人務(wù)必保證提交材料的真實性，如有不實一經(jīng)發(fā)現(xiàn)直接取消參營資格。此次報名不需要寄送紙質(zhì)材料，紙質(zhì)材料請在報到時出示。

三、申請方式

通過山東大學研究生招生夏令營報名系統(tǒng)報名，報名時間為6月24日-7月2日。

四、活動安排

7月上旬，在學院網(wǎng)站研究生招生板塊公布入選名單，并將入選結(jié)果在申請系統(tǒng)里發(fā)送相關(guān)通知，考生可在個人界面看到申請是否通過，審核通過的學生需提前確認是否參加，在系統(tǒng)里點擊確認參加方可被錄取參加夏令營，逾期未確認視為放棄入營資格，學院不再單獨通知。請報名人員及時關(guān)注。

夏令營具體日程安排敬請留意后續(xù)通知。

活動主要內(nèi)容有：學科發(fā)展狀況、專業(yè)介紹、學術(shù)講座、政策宣講等。

五、注意事項

1.本次暑期夏令營屬于非營利性質(zhì)的文化交流活動，不收取任何費用，我院不承擔參加者活動期間所產(chǎn)生的任何法律和經(jīng)濟責任。

2.本人保證填寫申報信息真實有效，否則，取消申請人一切由此獲得的利益，并保留追究的權(quán)利。

3.夏令營參加者應(yīng)自覺遵守舉辦單位的各項規(guī)定和要求，遵從夏令營工作人員的統(tǒng)一安排，不得從事與夏令營無關(guān)的任何活動;

4.新一代半導體材料研究院辦公室咨詢電話：0531-88366006，聯(lián)系人：張老師

熱忱歡迎各高校優(yōu)秀本科生申請參加夏令營!

山東大學新一代半導體材料研究院

2025年6月23日