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    1. 上海交通大學(xué) - 話題

      電磁場(chǎng)與微波技術(shù)復(fù)試回憶
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      小白楊
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      我考的專(zhuān)業(yè)是電磁場(chǎng)與微波技術(shù),考前向上屆的學(xué)長(zhǎng)討教過(guò)。
      筆試部分總共90分,模電數(shù)電各一半。考前數(shù)字電路的門(mén)符號(hào),我記得都是國(guó)標(biāo),卷子上
      是用國(guó)際通用符號(hào)的。
      數(shù)字部分1.非門(mén)和 R C 構(gòu)成的振蕩電路,2.函數(shù)表達(dá)式利用反演律轉(zhuǎn)換
              3.看門(mén)電路圖寫(xiě)出狀態(tài)轉(zhuǎn)移表 4.化成最簡(jiǎn)與或式
              5.寫(xiě)出D RS JK T 等各觸發(fā)器的狀態(tài)方程
              6.MOS 管電路構(gòu)成的數(shù)字電路,要求寫(xiě)出函數(shù)表達(dá)式
      模擬部分1說(shuō)出電流源        在IC中兩個(gè)作用。.
              2 工作在開(kāi)環(huán)狀態(tài)的運(yùn)放
              3.用三個(gè)100K的電阻和一個(gè)運(yùn)放構(gòu)成增益為-2的放大器,要求多種方法。
              4.FET構(gòu)成的較復(fù)雜放大電路,問(wèn)其偏置電流是啥和Ri
              5.問(wèn)電壓負(fù)反饋穩(wěn)定哪個(gè)增益。對(duì)輸入輸出電阻有何影響?
      筆試部分共60分
              我的英文介紹說(shuō)了一點(diǎn),就被老師打斷了。一位老師用英語(yǔ)問(wèn)我何時(shí)過(guò)的四六級(jí)
      。另一為老師問(wèn)你六級(jí)考了幾分?
              專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)是翻譯的一小段有關(guān)JFET。老師再問(wèn)你以前那些項(xiàng)目。面試只用了五分
      鐘就結(jié)束了。有關(guān)電磁場(chǎng)與微波的內(nèi)容一點(diǎn)沒(méi)問(wèn)。(zz)

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