教師姓名 包生祥 教師職務/教師職稱 教授
出生年月 1956.2 性別：男   
學科方向（填編號） （限選三個） 01  02  03  
教師簡介：
包生祥教授, 男，1956年出生，材料分析研究中心主任。先后從事過光譜、電子顯微鏡、掃描探針顯微鏡SPM（包括掃描隧道顯微鏡STM，原子力顯微鏡AFM,磁力顯微鏡MFM，電力顯微鏡EFM等）分析研究、以及材料與元器件分析表征等科研工作。目前主要研究方向為納米電子信息材料的掃描探針顯微鏡分析表征研究。先后主持國家、中國科學院和國防科工委各類課題多項, 現(xiàn)主持在研課題二項（“973” 國家重大基礎研究項目重點子課題和國防預研項目各一項）。以第一作者在國內(nèi)外有影響刊物發(fā)表論文45篇,論文被SCI收錄檢索和SCI他人引用檢索40余篇次�，F(xiàn)擔任中國電子學會西南理化檢驗分會主任、國內(nèi)外多家學術(shù)刊物編委會成員和審稿人、美國科學促進會（AAAS）會員和甘肅省青聯(lián)委員。曾榮獲“中國青年科技獎”, 享受國務院政府特殊津貼, 入選中國科學院跨世紀人才、四川省學術(shù)與技術(shù)帶頭人后備人選、萬方數(shù)據(jù)庫《中國科技名人》和美國Marqius "Who's who in the world"(《世界名人錄》)等。
    聯(lián)系電話：028 83206133
    電子郵件：sxbao@uestc.edu.cn; sxbao@263.net


教師姓名 曹康白 教師職務/教師職稱 副研究員
出生年月 1951年10月 性別 男
學科方向（填編號） （限選三個） （03），（04），（06）
教師簡介：
從事專業(yè)：電磁場與微波技術(shù)
現(xiàn)研究方向：微波（毫米波）與微系統(tǒng)集成技術(shù)；RFID識別技術(shù)與應用。
1983年在電子科技大學獲工學碩士學位，并留校從事科研與教學工作，1990年獲工學博士學位，從事微波與毫米波電路與器件、微波與毫米波系統(tǒng)與子系統(tǒng)、RFID技術(shù)與應用的研究。作為主要研究人員和課題負責人，完成多項部級科研成果，并獲電子部科技進步二等獎一項，國家科技進步三等獎一項。


教師姓名 聶在平 教師職務/教師職稱 副校長,博士生導師/教授
出生年月 1946年10月 性別 男
學科方向（填編號） 天線理論與技術(shù)（01）；非均勻介質(zhì)中的場與波（03）；計算電磁學（06）
；電磁散射與逆散射（08）；移動通信中的天線新技術(shù)（14）；瞬態(tài)電磁理論及應用（15）




教師簡介:
個人簡歷1968年 成都電訊工程學院電子工程專業(yè)本科畢業(yè)；
1968.12--1970.8 中國人民解放軍0058部隊勞動鍛煉；
1970.8--1978.8 四川省宜賓六號信箱 技術(shù)員
1978.9-1981.9 成都電訊工程學院電磁場與微波技術(shù)專業(yè)研究生
1981.10-1987.8成都電訊工程學院電磁場與微波技術(shù)專業(yè)講師,副教授;
1987.9-1989.9 美國伊利諾依大學電磁實驗室訪問學者;
1989.10--現(xiàn)在 先后任電子科技大學電磁場與微波技術(shù)專業(yè)副教授、教授（1992.4-）、博士生導師（1995.12-）系主任、副校長（1995.12-）并一直從事科研和教學工作至今；
研究方向:
目前研究的領域主要集中在以下幾個方面：
l 新一代移動通信中的天線技術(shù)；
l 計算電磁學,電磁散射與目標特性;
l 非均勻介質(zhì)中場與波理論及應用;
l 電磁逆散射與成像；l
超寬帶短波通信天線的新型設計與研發(fā)；
l 時域電磁理論及其工程應用。
科研成果
   聶在平教授是我校國家重點學科和博士點學科"電磁場與微波技術(shù)"的博士生導師;
國際權(quán)威學術(shù)組織"國際電氣與電子工程師協(xié)會"（IEEE）高級會員，中國電子學會
會士，并兼任十余個全國性學術(shù)組織的重要工作。
他長期致力于電磁輻射、散射與逆散射理論與工程科技研究，先后主持并圓滿完成
包括國家重點科技攻關項目、國防軍事預研項目和國家 863高科技項目在內(nèi)的20余
個研究項目，特別在其主要研究方向"非均勻介質(zhì)中的場與波及工程應用"，"寬帶電磁輻射
和電磁散射與目標特性"等方面進行了創(chuàng)新研究并取得了多項成果，先后獲國家科技進步
二等獎一項（2002年），省、部級科技進步一、二、三等獎五項，科技成果鑒定十幾項
。上述成果均排名第一。發(fā)表學術(shù)論文逾200篇（排名第一或第二），其中SCI和EI共收錄78篇；
著、譯60余萬字，其中合著專著"復雜系統(tǒng)中的場與波"獲1997年全國科技圖書一等獎并榮獲第三屆國家圖書獎；
作為副主編，他籌劃、組織并參加編寫了我國第一部"天線工程手冊"，該書共260余萬字,已于2002年出版。
聶在平教授"十五"其間主持包括國家自然科學基金項目、國防軍事預研項目和國家863高科技項目在內(nèi)的10余個研究項目，
科研經(jīng)費已達800萬元。目前，本課題組由六位教授、副教授（其中四位為博士）和近30名博士生和碩士生組成，
研究基礎雄厚，梯隊結(jié)構(gòu)合理，學術(shù)氣氛活躍，形成了較好的發(fā)展態(tài)勢。


教師姓名 陳星弼 教師職務/教師職稱 教授，博導，中國科學院院士
出生年月 1931年1月 性別 男
學科方向（填編號） 01、02、05
教師簡介：  陳星弼，男，教授，博導，中國科學院院士。1931年1月出生于上海，1952年畢業(yè)于同濟大學，后在廈門大學、南京工學院及中國科學院物理研究所工作。1956年開始在成都電訊工程學院工作。1980年美國俄亥俄州大學作訪問學者。1981年加州大學伯克萊分校作訪問學者、研究工程師。1983年任電子科技大學微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。曾先后被聘為加拿大多倫多大學電器工程系客座教授，英國威爾斯大學天鵝海分校高級客座教授。1999年當選中國科學院院士。
陳星弼教授在新型功率（電力電子）器件及其集成電路這一極其重要領域中，做出了一系列重要的貢獻與成就。
他率先在中國提出立項并作為第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-Gate MOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有關技術(shù)。
他對垂直型功率器件耐壓層及橫向型功率器件的表面耐壓區(qū)唯一地作出了優(yōu)化設計理論且得到實際應用。
對功率器件的另一關鍵技術(shù)——結(jié)終端技術(shù)——作出了系統(tǒng)的理論分析及最優(yōu)化設計方法并應用在各種電力電子器件的設計中取得良好的效果。他還提出了斜坡場板這一新結(jié)構(gòu)的理論。
他的三項重要發(fā)明能使電力電子器件在一個新的臺階上發(fā)展。這些發(fā)明打破了傳統(tǒng)極限理論的約束，使器件的電學性能得到根本性的改進。第一種第二種發(fā)明突破了高速功率MOS高壓下導通電阻極限理論，得到新的極限關系。第一種發(fā)明被Siemens公司實現(xiàn)，98年在國際電子器件會議（舊金山）發(fā)表。第二種發(fā)明及第三種發(fā)明已在國內(nèi)實驗成功。根據(jù)第三種發(fā)明來制造高壓（功率）集成電路中的橫向器件，可以在工藝上和常規(guī)的CMOS及BiCMOS工藝兼容，使這種電路不僅性能優(yōu)越，而且成本節(jié)省，可立足國內(nèi)，并正在走向產(chǎn)品開發(fā)。
他作為唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等學術(shù)刊物發(fā)表論文40多篇，出版著作五種（六冊），取得美國及中國發(fā)明專利權(quán)七項，獲得國家發(fā)明獎及國家科技進步獎二項，省部級獎十三項。圓滿完成八五國家自然科學基金重點項目、軍事預研項目及國家八五科技攻關重大項目，并獲得國家八五科技攻關先進個人，受到江澤民總書記等黨和國家領導人接見。2002年8月獲信產(chǎn)部信息產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明獎（三項中排第一），2002年8月獲（美國3D公司杰出創(chuàng)新技術(shù)認可獎）及評價，不但高度評價本項目技術(shù)創(chuàng)新的意義，而且高度評價對環(huán)保的意義。
有四項部級鑒定的新功率器件與功率集成電路均被評為“結(jié)構(gòu)屬國際首創(chuàng)”“性能屬國際領先”。
陳星弼教授是中國電子學會會士、美國IEEE高級會員。多次出訪國外進行科技學術(shù)交流。
陳星弼任教四十多年來，教過多種課。他親自教過及培養(yǎng)過近千名的學生，普遍反映受影響最深，他對學生要求嚴格。這些至今有口皆碑。他公開出版五本書，不少書迄今仍是許多大學的教材。
陳星弼教授是新中國培養(yǎng)的知識分子。他熱愛祖國、忠誠黨的教育事業(yè)與科學事業(yè)。學識淵搏、治學嚴謹、工作刻苦。很快深入，既能發(fā)現(xiàn)問題又能解決問題。又做實驗，還親自上機計算。他有堅實的基礎理論又會四國外語，因此能及時抓住新方向能較快地有系統(tǒng)成果。1991年起享受國務院特殊津貼，1997年被評為電子部優(yōu)秀教師，1998年被評為全國優(yōu)秀教師。四川省學術(shù)與技術(shù)帶頭人。

上海在中國地圖的東南西北哪個方向？（答案為一個字）

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